SiC MOSFET

碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。而燒結銀由于其超高的導電、導熱性能，低溫無壓燒結、高溫服役，連接強度高、抗疲勞性能好，成分不含膠、無有機殘留物等高性價比特性在封裝SiC MOSFET中的應用保證SiC芯片可靠性、充分發揮性能的關鍵。燒結  曲線如下：

燒結前X-ray檢查

  燒結后孔洞率≤1%

  剪切強度